高千穂交易㈱が国内代理店を務めるダイオーズ社(本社:米国テキサス州ダラス)は1959年に設立し、北米、台湾を中心に展開し、前工程・後工程ともに自社工場を持つディスクリート半導体及びアナログ半導体メーカーです。アジアを中心とした民生市場向けに実績を伸ばし、2010年にNASDAQへ上場。高い技術力と豊富なラインナップにてあらゆるアプリケーションに最適な製品をご提供します。
MOSFET
バイポーラトランジスタ
IGBT
ダイオード・整流器
保護素子
機能特化デバイス
標準リニア製品
センサ
オーディオ
STB向けデジタルブロードキャスト
インターフェイス・ペリフェラル
AC-DCコンバータ
DC-DCコンバータ
LEDドライバ
モータコントロール
ゲートドライバ
バッテリマネジメントシステム
低ドロップアウトレギュレータ
保護スイッチ
監視IC
SBRはMOSの製造プロセスを利用したDiodes社が特許を取得している独自の製品です。(従来のショットキーはバイポーラプロセス)ショットキーのように順方向電圧降下(Vf)が低く、熱への安定性、高信頼性を確保しています。トレンチ構造を採用することで性能が上がったSBRTシリーズも取り揃えております。
PowerDI™123
Internal Construction
Max Io (A) | VRRM (V) | IFSM (A) | VF (V) | IR (uA) |
---|---|---|---|---|
IF=3A,TJ=+25℃ | VR=40V,TJ=+25℃ | |||
3 | 40 | 70 | 0.46 | 8 |
パッケージ:PowerDI-123
SDTはトレンチ構造を採用することによって、Vfはショットキーの特性を維持しつつ、低い漏れ電流を実現した製品です。
PowerDI-5
Internal Construction
Max Io (A) | VRRM (V) | IFSM (A) | VF (V) | IR (uA) |
---|---|---|---|---|
IF=5A,TJ=+25℃ | VR=100V,TJ=+25℃ | |||
5 | 100 | 150 | 0.66 | 3.5 |
パッケージ:PowerDI-5
MOSFETにトレンチ構造を採用したTシリーズ
最新技術によってトレンチ内のシリコンは、ゲート電極とシールド電極の2種類に分割されてます。
この技術を~Split Gate Technology~と呼んでいます。
Tシリーズの特徴
※FOM=ON抵抗×ゲート電荷
Part No | パッケージ | IDS | VDS | Qg | RDS(ON) | FOM |
---|---|---|---|---|---|---|
(A) | (V) | (nC) | max(mΩ) | |||
DMT31M6LPS | PowerDI5060 | 150 | 30 | 123 | 1.35 | 166.1 |
DMT4002LPS | PowerDI5060 | 100 | 40 | 116.1 | 1.8 | 209 |
DMT6002LPS | PowerDI5060 | 100 | 60 | 130.8 | 2 | 261.6 |
DMT8008LPS | PowerDI5060 | 83 | 80 | 41.2 | 7.8 | 321.4 |
DMT10H009LPS | PowerDI5060 | 90 | 100 | 40.2 | 8 | 321.6 |
減衰した信号品質を再構築するリドライバ製品です。高速化した信号では長い外部ケーブルへ使用時だけでなく、基板上においても必要なケースがでてきます。
PCIe1/2/3、USB 3.1 Gen1/Gen2、10GE、SATA3、XAUI、SAS3、HDMI2.0、ディスプレイポート1.2および1.3のプロトコルに対応する2.5 Gbpsから16 Gbpsのリドライバを提供します。